比利時研究實驗室IMEC研究出了半導體技術和芯片設計從1納米到2納米的路徑。

據(jù)eeNews報道，IMEC首席執(zhí)行官呂克·范登霍夫在未來大會上表示:我們相信摩爾定律不會終結，但需要多方共同貢獻。

他提到了幾代器件架構，從FinFET器件到插件和原子通道器件，以及新材料和ASML高NA掩模對準器的引入，這將需要很多年目前正在安裝的NA原型設備將于2024年投入商用我們相信光刻工具將會把摩爾定律擴展到1納米以下

不過，它也表示，為了邁向更先進的工藝，有必要開發(fā)新的器件架構，并促進標準單元的縮小在FinFET已經(jīng)成為10nm到3nm主流技術的基礎上，從2nm開始，納米片組成的GAA架構將是最有可能的概念

他提到了IMEC開發(fā)的forksheet架構這使得我們可以用阻擋材料更緊密地連接N和P溝道，這將是將柵極擴展到1nm以上的一種選擇接下來可以把N和P通道放在一起，進一步擴大規(guī)模我們相信我們已經(jīng)開發(fā)了這些架構的第一個版本

使用鎢或鉬的新材料，有可能在2028年為1nm工藝制造相當于幾個原子長度的柵極，在2034年制造4個Amy 結構，在2036年制造2個Amy 結構。

同時，互聯(lián)性能也需要提高一個有趣的選擇是將功率傳輸移到晶片的背面這為前端互連留下了更大的設計靈活性這些都將導致未來15到20年的規(guī)模擴張

未來，片上系統(tǒng)設備將使用TSV和微凸塊技術來集成芯片的3D堆疊，并使用不同的工藝芯片來完成不同的任務，從而需要在一個硅中介層上連接多個3D芯片。

我們一直在開發(fā)所有這些技術，正如我們所說的，這些技術正在逐漸被業(yè)界采用。