根據(jù)外媒 tomshardware 消息，日本 SDK 公司是全球最大的機(jī)械硬盤盤片制造商目前該公司已經(jīng)確認(rèn)正在開發(fā)適用于 MAS—MAMR 技術(shù)的盤片這款盤片未來將供應(yīng)給東芝，用于制造單盤 30TB 容量的機(jī)械硬盤

目前東芝采用 MAMR 微波輔助磁記錄技術(shù)的硬盤已經(jīng)順利出貨產(chǎn)品單碟容量 2TB，單盤 18TB下一代 MAS—MAMR 技術(shù)，微波的矯頑力更強(qiáng)，因此每條磁道的寬度可以更窄，從而使盤片密度進(jìn)一步增加該技術(shù)由 SDK，TDK，東芝共同開發(fā)，其中 TDK 公司將制造磁頭

目前，官方并為公布這項(xiàng)技術(shù)具體的盤片密度，僅表示能夠制造 30TB 的機(jī)械硬盤據(jù)本站了解，如今 3.5 英寸機(jī)械硬盤最大封裝規(guī)格為單盤 10 個碟片，可以推測 MAS—MAMR 盤片至少可以達(dá)到單碟 3TB

官方表示，現(xiàn)代的機(jī)械硬盤，需要在盤片上存儲上千兆字節(jié)的元數(shù)據(jù)，包括磁道重復(fù)跳動元數(shù)據(jù)(RRO，也就是每次硬盤主軸旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致的位置誤差數(shù)值)，以及磁道級別的寫入操作元數(shù)據(jù)，用于解決相鄰磁道間的干擾。使用OptiNAND技術(shù)后，RRO數(shù)據(jù)和寫操作元數(shù)據(jù)均可以存儲在iNAND閃存中，這樣不僅能夠減少對于硬盤空間的占用，同時也能夠大幅降低硬盤讀寫操作數(shù)(IO數(shù))。總之，UFS閃存還能夠存儲扇區(qū)級別的寫操作數(shù)據(jù)，這樣能夠優(yōu)化存儲要求，減少ATI(相鄰磁道干擾數(shù)據(jù))刷新次數(shù)，來提高性能。