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功率半導(dǎo)體從風(fēng)中升起車輛電氣化成為大勢所趨

發(fā)布時(shí)間:2021-08-11 19:38   來源:東方財(cái)富   閱讀量:8730   

伴伴隨著全球汽車電氣化的東風(fēng),功率半導(dǎo)體行業(yè)乘風(fēng)破浪,汽車智能化,電氣化趨勢明顯帶動(dòng)汽車半導(dǎo)體價(jià)值提升。

同時(shí),面對半導(dǎo)體需求突增,海外交付延長等因素,國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商將迎來國產(chǎn)替代的機(jī)會(huì),國內(nèi)廠商有望受益。

最近幾天,開源證券電子團(tuán)隊(duì)發(fā)布了深度行業(yè)報(bào)告《功率半導(dǎo)體專題系列一:乘新能源汽車東風(fēng)而起——行業(yè)深度報(bào)告》,深入分析了全球汽車電氣化背景下功率半導(dǎo)體及其受益產(chǎn)業(yè)鏈的行業(yè)發(fā)展,尋找最具投資價(jià)值的標(biāo)的。

新能源汽車東風(fēng)已至

功率半導(dǎo)體從風(fēng)中升起

1.全球新能源汽車銷量快速增長,滲透率不斷提高

伴隨著全球環(huán)保政策的日益嚴(yán)格和改善能源結(jié)構(gòu)的要求日益迫切,許多國家都制定了新能源汽車的發(fā)展規(guī)劃以純電和油電混合動(dòng)力為主要?jiǎng)恿π问降男履茉雌囘M(jìn)入快速發(fā)展期,車輛電氣化成為大勢所趨

許多政府已經(jīng)出臺(tái)了促進(jìn)新能源汽車發(fā)展的計(jì)劃

根據(jù)中國汽車工程學(xué)會(huì)編制的《節(jié)能與新能源技術(shù)路線圖2.0》,到2025年,我國新能源汽車在新車銷售中的滲透率將達(dá)到20%根據(jù)中汽協(xié)預(yù)測,2025年中國汽車銷量有望達(dá)到3000萬輛,以20%的滲透率,屆時(shí)中國新能源汽車銷量有望達(dá)到600萬輛到2035年,新能源汽車將成為主流,占總銷量的50%

據(jù)EV Sales數(shù)據(jù)顯示,2020年全球新能源乘用車銷量達(dá)312.48萬輛,即使在全球汽車市場萎縮的情況下,新能源乘用車仍保持著41.40%的高增長率根據(jù)EVTank的預(yù)測,到2025年,全球新能源汽車銷量有望達(dá)到1200萬輛

2025年,中國新能源汽車銷量有望達(dá)到600萬輛

2025年,全球新能源乘用車銷量有望達(dá)到1200萬輛

2.新能源汽車用半導(dǎo)體的價(jià)值有所提升,其中功率半導(dǎo)體的提升最為顯著

汽車智能化,電氣化的趨勢,顯然在推動(dòng)汽車半導(dǎo)體的價(jià)值提升汽車智能化的含義主要包括智能駕駛,智能座艙,網(wǎng)絡(luò)化等在普通車輛上增加先進(jìn)的傳感器,控制器,執(zhí)行器等設(shè)備,與人,車,路等進(jìn)行智能信息交換通過車載傳感系統(tǒng)和信息終端實(shí)現(xiàn),顯著提升乘坐體驗(yàn),實(shí)現(xiàn)輔助駕駛甚至自動(dòng)駕駛汽車智能化主要帶動(dòng)汽車數(shù)字芯片,傳感器芯片,存儲(chǔ)芯片的消費(fèi)

電氣化是指動(dòng)力電池代替燃料作為汽車的動(dòng)力源,由電機(jī)負(fù)責(zé)將動(dòng)力電池的化學(xué)能轉(zhuǎn)化為汽車的動(dòng)能在這個(gè)過程中,用于功率轉(zhuǎn)換的功率半導(dǎo)體的數(shù)量將顯著增加功率半導(dǎo)體顯著受益于電氣化趨勢,就價(jià)值增長而言,電氣化是汽車半導(dǎo)體最重要的類別之一

功率半導(dǎo)體從電氣化趨勢中受益匪淺,

增長勢不可擋

1.IGBT是新能源汽車高壓系統(tǒng)的核心設(shè)備,深深受益于電氣化趨勢

新能源汽車的母線電壓通常在400V左右,而IGBT是耐高壓高頻的電力電子開關(guān)器件,其額定電壓通常在600V V以上,因此IGBT在汽車上的應(yīng)用主要集中在高壓能量轉(zhuǎn)換,核心應(yīng)用主要是驅(qū)動(dòng)逆變器。

IGBT用于主驅(qū)動(dòng)逆變器

其他應(yīng)用包括車輛OBC和電池管理/車輛空氣

除了直接搭載在新能源汽車上,IGBT還是DC充電樁的核心動(dòng)力裝置與OBC的功能類似,IGBT在DC充電樁的功能是DC—DC轉(zhuǎn)型DC充電樁的一端與交流電網(wǎng)相連,工頻交流經(jīng)整流電源模塊轉(zhuǎn)換成DC,流經(jīng)DC—林克電容穩(wěn)壓濾波器,進(jìn)入DC—DC變換環(huán)節(jié)

IGBT用于充電樁中的DC—DC轉(zhuǎn)換

2.MOSFET廣泛應(yīng)用于低壓系統(tǒng),未來其消耗量還將繼續(xù)增加

汽車上的各種供電裝置直接從電池取電,電池的電壓通常為24V和12V而新能源汽車的動(dòng)力電池電壓一般高達(dá)300—400V,因此需要功率器件來調(diào)節(jié)新能源汽車高低壓系統(tǒng)之間的電壓,實(shí)現(xiàn)高低壓系統(tǒng)之間的功率流動(dòng)

MOSFET在汽車高低壓系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

伴隨著汽車電子元器件的增多,MOSFET在汽車上的應(yīng)用日益增多我們統(tǒng)計(jì)了英飛凌為新能源汽車提供的MOSFET解決方案,發(fā)現(xiàn)單輛車分立MOSFET器件的消耗量可達(dá)近200個(gè)如果算上Switch,PMIC等集成設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,整車低壓系統(tǒng)對功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的消耗會(huì)更大

凌預(yù)計(jì),高端新能源汽車上MOSFET的用量可達(dá)400個(gè)左右。

統(tǒng)計(jì)英飛凌提供的解決方案對應(yīng)的MOS數(shù)量接近200個(gè)

功率半導(dǎo)體加速國產(chǎn)替代,

國產(chǎn)企業(yè)嶄露頭角

1,國產(chǎn)替代進(jìn)度總體加快,車規(guī)器件準(zhǔn)入門檻高

我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步晚,基礎(chǔ)低,在整體的技術(shù)實(shí)力和市場占有率上與海外廠商仍有較為明顯的差距據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),我國在中高端MOSFET及IGBT器件市場上,90%依賴進(jìn)口,市場基本被歐美,日本企業(yè)壟斷全球范圍來看,前十大功率半導(dǎo)體廠商均為海外廠商,合計(jì)占據(jù)60%的市場份額

2019年全球功率半導(dǎo)體市場主要被海外廠商占據(jù)

產(chǎn)能緊張及地緣政治因素帶來國產(chǎn)替代契機(jī),部分企業(yè)開始嶄露頭角2017—2018年前后,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,海外廠商器件交期延長,客戶需求得不到滿足由此部分國內(nèi)客戶開始對國產(chǎn)功率器件進(jìn)行供應(yīng)認(rèn)證,按下了功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加速鍵

2018Q4海外廠商功率半導(dǎo)體器件交期明顯延長

車規(guī)產(chǎn)品認(rèn)證要求高,國產(chǎn)功率器件替代在汽車領(lǐng)域的替代總體仍處于較為初步的階段汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品的認(rèn)證壁壘主要來自兩方面,一方面是ISO,AEC—Q等國際組織的標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,是車規(guī)供應(yīng)的進(jìn)入門檻,另一方面是來自各家整車廠自身嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證車規(guī)認(rèn)證流程周期長,項(xiàng)目多,標(biāo)準(zhǔn)高,對供應(yīng)商的生產(chǎn)流程,生產(chǎn)設(shè)施,產(chǎn)品性能,產(chǎn)品穩(wěn)定性及安全性都提出了較高要求,形成了較高的進(jìn)入門檻目前我國功率半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)全面進(jìn)入消費(fèi)級(jí),中低端工業(yè)領(lǐng)域的供應(yīng),在汽車市場的供應(yīng)滲透總體仍較為初步

車規(guī)電子零部件供應(yīng)認(rèn)證壁壘高

2,微型車為突破口,國產(chǎn)主驅(qū)IGBT發(fā)展加速

IGBT發(fā)明于上個(gè)世紀(jì)80年代,海外產(chǎn)品發(fā)展已有40年左右的時(shí)間,龍頭廠商英飛凌推出7代IGBT產(chǎn)品經(jīng)過追趕,我國IGBT企業(yè)的技術(shù)和生產(chǎn)水平有了較大的進(jìn)步,目前我國部分領(lǐng)先的IGBT企業(yè)能夠量產(chǎn)對標(biāo)英飛凌5—6代的技術(shù)水平,與國際領(lǐng)先廠商技術(shù)水平仍有差距,但差距在不斷縮小

英飛凌歷代IGBT芯片技術(shù)升級(jí)

我國領(lǐng)先企業(yè)已量產(chǎn)對標(biāo)英飛凌第5—6代的產(chǎn)品

在車規(guī)IGBT市場份額上國內(nèi)企業(yè)占比仍較小,國產(chǎn)替代空間大據(jù)Yole數(shù)據(jù),2019年全球IGBT市場達(dá)63.4億美元據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2019年國內(nèi)僅有斯達(dá)半導(dǎo)以2.5%的市占率進(jìn)入了全球前十大IGBT模塊供應(yīng)商,國內(nèi)企業(yè)開始嶄露頭角,但在市場份額上與海外廠商差距仍較大

全球IGBT市場不斷成長

2019年全球IGBT市場主要被海外廠商壟斷

國產(chǎn)車規(guī)IGBT模塊借助我國肥沃的汽車市場土壤,在近幾年取得了長足的進(jìn)步據(jù)EV Sales,我國2020年新能源乘用車銷量127.19萬輛,占全球銷量的40.7%同時(shí),我國新能源汽車產(chǎn)業(yè)得到較大的政策扶持,經(jīng)過十余年的快速發(fā)展,已經(jīng)建立了從電池,電機(jī),電控等核心零配件到整車裝配,自主品牌的完整自主產(chǎn)業(yè)鏈,為汽車半導(dǎo)體的逐步自主化提供了良好的土壤

我國已建立起完整的新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈

我國A00級(jí)新能源車占比較高

A00級(jí)別新能源汽車在續(xù)航里程,輸出功率等方面的標(biāo)準(zhǔn)相對A級(jí)車及SUV較低,品牌車型眾多的A00級(jí)別新能源車對采用國產(chǎn)IGBT模塊的驗(yàn)證測試秉持更為開放的態(tài)度因此,以A00級(jí)微型新能源車為主要突破口,國產(chǎn)廠商在車規(guī)主驅(qū)逆變IGBT模塊領(lǐng)域取得了快速發(fā)展

根據(jù)佐思汽研的數(shù)據(jù),按照銷量數(shù)據(jù)來看,2019年英飛凌在中國新能源汽車IGBT領(lǐng)域排名第一,占比高達(dá) 49.3%,其次是比亞迪,主要給比亞迪品牌車型配套,占比20%,斯達(dá)半導(dǎo)體位居第三,市占率達(dá)到16.6%。

英飛凌占據(jù)國內(nèi)新能源汽車IGBT市場的半壁江山

造車新勢力或?qū)⒙氏乳_啟A級(jí)及以上車型的主驅(qū)IGBT模塊自主化進(jìn)程以蔚來,理想,小鵬等為代表的國內(nèi)造車新勢力的車型開發(fā)周期相對傳統(tǒng)車企更短,造車?yán)砟罡鼮榧みM(jìn),相比合資,外資品牌的車企,大部分新勢力廠商對海外汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商的議價(jià)權(quán)不足,因此其出于成本控制和供應(yīng)鏈保障的原因也更愿意嘗試引入國產(chǎn)供應(yīng)商國產(chǎn)IGBT模塊廠商有望先通過造車新勢力廠商進(jìn)軍A級(jí)乃至更高級(jí)的新能源汽車市場

展望未來,新能源汽車A00—A0級(jí)別市場占比將逐步下降,A級(jí)及以上市場占比提升,國內(nèi)企業(yè)一旦突破A級(jí)車型供應(yīng),也將受益新能源汽車消費(fèi)升級(jí)帶來的量價(jià)齊升。

A00級(jí)別電動(dòng)車銷量占比在2017—2019年持續(xù)下降

3,國內(nèi)領(lǐng)先MOSFET廠商初步進(jìn)入車規(guī)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈

MOSFET市場空間廣闊,下游市場分散,我國MOSFET企業(yè)市占率低2019年,我國本土龍頭企業(yè)華潤微以3.00%市占率位列全球第九大MOSFET供應(yīng)商被我國ODM龍頭企業(yè)聞泰科技收購的安世半導(dǎo)體則以4.10%的市占率位列全球第八大供應(yīng)商

2019年全球IGBT市場主要被海外廠商壟斷

最近幾年來國內(nèi)MOSFET企業(yè)的產(chǎn)品研發(fā)明顯進(jìn)步,產(chǎn)品矩陣迅速完善,代工/晶圓制造水平不斷提高,為全面進(jìn)入車規(guī)供應(yīng)鏈打下了基礎(chǔ)。

產(chǎn)品方面,以華潤微,士蘭微,華微電子,新潔能等為代表的企業(yè),均建立起比較完備的產(chǎn)品體系,不僅有供應(yīng)平面型,溝槽型這類比較成熟的MOSFET種類的能力,也基本具備隔離柵,超級(jí)結(jié)等先進(jìn)種類的MOSFET的能力,并且本土頭部企業(yè)的MOSFET產(chǎn)品線也基本做到比較完整的電壓,電流覆蓋此外,聞泰科技則通過外延并購,將汽車MOSFET/二極管領(lǐng)先供應(yīng)商安世半導(dǎo)體收入麾下,有望使得我國MOSFET的車規(guī)供應(yīng)能力實(shí)現(xiàn)快速提升

國內(nèi)硅基MOSFET產(chǎn)品系列較為完善

目前國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品研發(fā),制造工藝,封裝能力正不斷提升,未來有希望全面進(jìn)入車規(guī)MOSFET產(chǎn)品的供應(yīng)。

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)異,已開啟逐步滲透

SiC屬于第三代半導(dǎo)體材料,以其制作成的功率器件性能優(yōu)異SiC 具有高臨界磁場,高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),使得其器件適用于高壓,高頻,高溫的應(yīng)用場景,相較于硅器件,可以顯著降低開關(guān)損耗因此,SiC 可以制造高耐壓,大功率的電力電子器件,下游主要用于智能電網(wǎng),新能源汽車等行業(yè)

第三代半導(dǎo)體在高壓,高頻,高溫環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異

新能源汽車市場的蓬勃發(fā)展將帶動(dòng)SiC功率器件的市場需求SiC功率器件能滿足新能源汽車多方位的需求,給新能源汽車帶來諸多方面的性能升級(jí)

根據(jù) Yole預(yù)測,2019—2025年功率SiC市場將由5.41億美元增長至25.62億美元,年均復(fù)合增速高達(dá)約30%

第三代半導(dǎo)體現(xiàn)階段的滲透瓶頸主要是成本過高,尤其是襯底的成本高企現(xiàn)有SiC單晶的制備常使用PVT法,該方法不可實(shí)施監(jiān)控,相當(dāng)于黑匣子操作,生長出來的單晶位錯(cuò)多,質(zhì)量難以提高此外該方法生長速度較慢,難以生長形成大晶體,規(guī)?;a(chǎn)效率低

第三代半導(dǎo)體制造流程總體與硅基半導(dǎo)體類似

當(dāng)前全球市場上,6英寸SiC襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,主流幾家大廠商推出8英寸襯底樣品據(jù)CASA預(yù)計(jì),5年內(nèi)8英寸將全面商用伴隨著6英寸SiC單晶襯底和外延晶片的缺陷降低和質(zhì)量提高,8英寸產(chǎn)線有望逐步實(shí)現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),SiC器件制造成本將持續(xù)下降,推進(jìn)SiC器件和模塊的普及

受益標(biāo)的

1,斯達(dá)半導(dǎo):IGBT國產(chǎn)替代領(lǐng)頭羊,車規(guī)IGBT供應(yīng)破冰者

公司IGBT模塊收入占據(jù)2020年?duì)I收的94.65%,型號(hào)超過600種,電壓等級(jí)涵蓋100V~3300V,廣泛應(yīng)用于新能源汽車,變頻器,逆變焊機(jī),UPS,光伏/風(fēng)電發(fā)力,SVG,白色家電等領(lǐng)域。

2020年,公司IGBT模塊配套逾20萬輛新能源汽車,覆蓋超過20家汽車品牌,處于國內(nèi)領(lǐng)先地位,是國內(nèi)為數(shù)不多能夠供應(yīng)車規(guī)級(jí)IGBT模塊的廠商之一公司不斷加強(qiáng)研發(fā),有望提升IGBT模塊供應(yīng)車型等級(jí),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售單價(jià)提升及銷售結(jié)構(gòu)優(yōu)化,并憑借優(yōu)質(zhì)的客戶充分受益新能源車市場的快速發(fā)展

2,士蘭微:產(chǎn)品線豐富的IDM廠商,IGBT產(chǎn)品實(shí)力強(qiáng)勁

公司是國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè),現(xiàn)已形成器件,集成電路,LED芯片及外延片等業(yè)務(wù)板塊,是國內(nèi)產(chǎn)品線最為齊全的半導(dǎo)體IDM廠商公司投產(chǎn)國內(nèi)IDM廠商第一條12英寸功率產(chǎn)線,不斷發(fā)力功率半導(dǎo)體板塊,堅(jiān)定走IDM之路

公司歷史上歸母凈利潤波動(dòng)較大,主要是受到LED業(yè)務(wù)利潤率降低,8英寸產(chǎn)線折舊壓力較大等因素影響現(xiàn)階段公司基本面迎改善:LED業(yè)務(wù)收入占比總體呈下降趨勢,影響逐漸減小,公司資本開支已連續(xù)2年下降,伴隨著8寸產(chǎn)線產(chǎn)能爬坡接近尾聲,營收體量不斷增加,公司折舊成本占營收比重也有望轉(zhuǎn)而下行,折舊壓力有望減小結(jié)合功率半導(dǎo)體行業(yè)高景氣,公司業(yè)績有望在2020—2021兩年持續(xù)改善

3,新潔能:MOSFET設(shè)計(jì)龍頭,已開啟新能源汽車滲透

公司MOSFET產(chǎn)品矩陣完善,是國內(nèi)少數(shù)幾家能夠研發(fā)設(shè)計(jì)并量產(chǎn)先進(jìn)的屏蔽柵MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的廠家之一。

公司在車規(guī)MOSFET供應(yīng)方面亦已有所突破,公司部分產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用到新能源汽車及充電樁等領(lǐng)域據(jù)公司2020年年報(bào),公司汽車領(lǐng)域客戶包括長城汽車,寧德時(shí)代,比亞迪等此外,公司亦積極布局應(yīng)用于汽車的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品,1200V新能源汽車用SiC MOSFET正在積極研發(fā)之中

公司有望憑借自身深厚的技術(shù)積累和強(qiáng)大的代工資源獲得長足發(fā)展,充分受益功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)化發(fā)展進(jìn)程以及新能源汽車市場等下游的蓬勃發(fā)展。

4,捷捷微電:進(jìn)擊的高效率民營IDM廠商,車規(guī)MOSFET建設(shè)中

公司立足晶閘管的領(lǐng)先地位,積極推進(jìn)SGT MOS,SJ MOS,先進(jìn)整流器,先進(jìn)TVS等產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,成果顯著2020年MOSFET在公司營收中占比已達(dá)20%,預(yù)計(jì)2021年有望進(jìn)一步提升,為整體收入增長提供充足動(dòng)能

汽車產(chǎn)品方面,公司正積極開發(fā)應(yīng)用于汽車的MOSFET產(chǎn)品,并配套建設(shè)相關(guān)產(chǎn)能日前,公司成功向不特定對象發(fā)行1,195萬張可轉(zhuǎn)換公司債券,募集資金總額11.95億元,擬全部用于投入車規(guī)級(jí)先進(jìn)封測項(xiàng)目,幫助公司建立起DFN,TOLL,LFPACK,WCSP等形式的先進(jìn)封裝制造能力,為公司MOSFET產(chǎn)品提升毛利率,打入車規(guī)等高端客戶提供有力支撐

5,聞泰科技:收購安世半導(dǎo)體,大步跨入功率半導(dǎo)體行業(yè)

安世半導(dǎo)體前身為恩智浦半導(dǎo)體公司的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部,于2017年初開始獨(dú)立運(yùn)營安世半導(dǎo)體采用IDM模式運(yùn)營,在德國和英國分別擁有一座晶圓廠,在中國東莞,菲律賓及馬尼拉設(shè)有封裝廠據(jù)聞泰科技年報(bào),2020年安世半導(dǎo)體營業(yè)收入達(dá)到98.92億元人民幣,在全球功率分立器件行業(yè)中位列第九

2020年,安世半導(dǎo)體有45%的營業(yè)收入來自汽車領(lǐng)域,是全球汽車半導(dǎo)體的龍頭企業(yè)之一,擁有近1.6萬種產(chǎn)品料號(hào),在汽車類POWER MOSFET預(yù)計(jì)市場地位僅次于英飛凌聞泰科技通過收購安世半導(dǎo)體,大踏步進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域,也有望整體提升了我國功率半導(dǎo)體的供應(yīng)水平和能力2021年,聞泰科技在上海臨港的12英寸車規(guī)級(jí)晶圓產(chǎn)線開工建設(shè),該產(chǎn)線總投資120億元,預(yù)計(jì)年產(chǎn)晶圓40萬片,有望大幅提升安世半導(dǎo)體服務(wù)我國本土新能源汽車市場的能力,為公司掘金我國新能源汽車市場的快速發(fā)展打下扎實(shí)的基礎(chǔ)

受益公司盈利預(yù)測與估值

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