據(jù)臺(tái)灣省《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，三星電子22日否認(rèn)了韓國(guó)媒體《東亞日?qǐng)?bào)》關(guān)于推遲3納米芯片量產(chǎn)的報(bào)道此前《東亞日?qǐng)?bào)》稱，由于良品率遠(yuǎn)低于目標(biāo)，三星3納米芯片的量產(chǎn)將會(huì)延遲

此外，韓國(guó)財(cái)經(jīng)媒體BusinessKorea報(bào)道稱，為了追趕TSMC，三星已經(jīng)加大了對(duì)3 nm環(huán)繞柵極技術(shù)的押注，希望在未來(lái)三年內(nèi)建立GAA技術(shù)的3 nm芯片工藝，并在2025年量產(chǎn)基于GAA工藝的2 nm芯片。

BusinessKorea還指出，據(jù)報(bào)道，三星在6月初引入了3 nm GAA工藝進(jìn)行實(shí)驗(yàn)性量產(chǎn)，成為第一家使用GAA技術(shù)的公司，希望該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)量子飛躍，縮短與TSMC的差距。

根據(jù)消息顯示，三星計(jì)劃在上半年將GAA技術(shù)應(yīng)用于3 nm工藝后，明年將GAA技術(shù)引入第二代3 nm芯片TSMC的戰(zhàn)略是在今年下半年以穩(wěn)定的FinFET工藝進(jìn)入3 nm半導(dǎo)體市場(chǎng)