芯東西 2 月 10 日報道，今天，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商東微半導(dǎo)以發(fā)行價 130 元 / 股登陸科創(chuàng)板。

開市后，東微半導(dǎo)股價有所上漲，最高漲至 148 元 / 股，之后有所回落截至芯東西成文，東微半導(dǎo)報 138 元 / 股，漲幅 6%，總市值 92 億元

東微半導(dǎo)的產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計公司之一，曾打破外國廠商充電樁用高壓超級結(jié) MOSFET 器件壟斷，被《人民日報》所報道。

根據(jù)市場咨詢公司 Omdia 數(shù)據(jù)，以 2019 年 MOSFET 功率器件銷售額計算，東微半導(dǎo)在中國本土廠商中排名第七報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營收持續(xù)增長，2018 年—2021 年上半年各期營收分別為 1.53 億元，1.96 億元，3.09 億元和 3.21 億元

由于東微半導(dǎo)股權(quán)較為分散，不存在控股股東，其實(shí)際控制人為公司聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼。

東微半導(dǎo)股權(quán)結(jié)構(gòu)

本次 IPO，東微半導(dǎo)計劃募集資金 9.39 億元，將分別用于超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化，新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)工程中心建設(shè)和科技與發(fā)展儲備資金4 個項(xiàng)目。

東微半導(dǎo)募集資金投資情況

01. 創(chuàng)始人研究登 Science，直流充電樁產(chǎn)品打破國外廠商壟斷

東微半導(dǎo)的前身東微有限設(shè)立于 2008 年 9 月，注冊資本 10 萬元，兩位聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛，龔軼分別認(rèn)繳 5.5 萬元和 4.5 萬元。

王鵬飛和龔軼兩人均曾在國外留學(xué)，并就職于 AMD，英飛凌等國際芯片巨頭王鵬飛為德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)博士，曾在英飛凌存儲器研發(fā)中心擔(dān)任研發(fā)工程師，2006 年 5 月?lián)纹鎵暨_(dá)技術(shù)創(chuàng)新和集成部門研發(fā)工程師

2008 年 9 月，王鵬飛和龔軼聯(lián)合創(chuàng)辦了東微有限，2009 年 6 月，王鵬飛成為復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授，并于 2013 年研制出全球首個半浮柵晶體管，文章發(fā)表在頂級學(xué)術(shù)期刊 Science 上，這是我國微電子領(lǐng)域研究首次登上 Science，新聞聯(lián)播和人民日報，青年報等都對此有所報道2021 年 4 月至今，王鵬飛任東微半導(dǎo)首席技術(shù)官

龔軼則為英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)碩士，曾先后在 AMD，英飛凌任工程師和技術(shù)專家，2020 年 11 月至今，龔軼任東微半導(dǎo)董事長兼總經(jīng)理。

東微半導(dǎo)董事長，總經(jīng)理龔軼

2016 年 4 月，東微半導(dǎo)自主研發(fā)的 650V，80A 快恢復(fù) GreenMOS 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并進(jìn)入直流充電樁領(lǐng)域，打破了這一領(lǐng)域國外廠商的壟斷。

02. 半年收入破 3 億，產(chǎn)品性能比擬氮化鎵器件

報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營收持續(xù)增長，2018 年—2020 年其營收分別為 1.53 億元，1.96 億元和 3.09 億元，復(fù)合增長率為 42.11%2021 年上半年，東微半導(dǎo)營收為 3.21 億元，超過 2020 年全年?duì)I收

利潤方面，東微半導(dǎo) 2018 年—2020 年凈利潤分別為 1297.43 萬元，911.01 萬元和 2768.32 萬元2021 年上半年，東微半導(dǎo)凈利潤達(dá) 5180.53 萬元

東微半導(dǎo) 2018 年—2021 年上半年?duì)I收與凈利潤變化

2020 年，東微半導(dǎo) IGBT 產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)營收。

2020 年東微半導(dǎo)主營業(yè)務(wù)收入占比

具體來說，東微半導(dǎo)的高壓超級結(jié) MOSFET 工作電壓在 400V 以上，可用于工業(yè) LED 照明，新能源汽車充電樁等，具有高頻，驅(qū)動簡單，抗擊穿性好等特點(diǎn)，其中低壓屏蔽柵 MOSFET 器件一般工作電壓覆蓋 25V—150V，主要應(yīng)用于電池保護(hù)，電機(jī)驅(qū)動器等，東微半導(dǎo)的 IGBT 產(chǎn)品工作電壓包括 600V—1350V，適用于新能源汽車充電樁，變頻器，逆變器，電機(jī)驅(qū)動，電焊機(jī)，太陽能等領(lǐng)域。

東微半導(dǎo)產(chǎn)品與應(yīng)用范圍

東微半導(dǎo)的超級硅 MOSFET 則是其自主研發(fā)，對標(biāo)氮化鎵功率器件的產(chǎn)品招股書稱，通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)，優(yōu)化制造工藝，其超級硅 MOSFET 產(chǎn)品突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應(yīng)用中達(dá)到了接近氮化鎵功率器件開關(guān)速度的水平

相比氮化鎵功率器件，該產(chǎn)品具有工藝成熟度高，成本低，可靠性高等優(yōu)勢，且東微半導(dǎo)正在推進(jìn)超級硅系列產(chǎn)品在 12 英寸產(chǎn)線上的量產(chǎn)。

東微超級硅 65W PD 快充 DEMO 與蘋果 30W 充電器體積對比

報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的前五大客戶包括凱新達(dá)電子，睿創(chuàng)電子等，主要以經(jīng)銷商為主，其主要終端客戶包括客戶 A，高斯寶電氣，永聯(lián)科技，柏怡電子，明緯電子等。

東微半導(dǎo) 2018 年—2021 年上半年前五大客戶

由于東微半導(dǎo)采用 Fabless模式，不直接從事芯片的生產(chǎn)和加工環(huán)節(jié)，其主要采購內(nèi)容為晶圓與封測服務(wù)。

報告期內(nèi)，華虹半導(dǎo)體為其主要的晶圓供應(yīng)商，2018 年—2020 年東微半導(dǎo)對華虹半導(dǎo)體的晶圓采購金額占總采購金額比例均在 80% 以上東微半導(dǎo)的主要封測服務(wù)供應(yīng)商則為天水華天，報告期內(nèi)其采購金額占比在 10% 以上

東微半導(dǎo) 2018 年—2021 年上半年前五大供應(yīng)商

03. 本土 MOSFET 廠商銷售額第七，研發(fā)人員占比 46%

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國際廠商優(yōu)勢明顯，全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商，包括英飛凌，德州儀器，安森美，意法半導(dǎo)體，亞德諾，高通，瑞薩電子等。

全球前十大功率半導(dǎo)體廠商及銷售額

同時，功率器件正不斷朝第三代半導(dǎo)體材料方向發(fā)展，雖然東微半導(dǎo)已有碳化硅功率器件的樣品，但在第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)布局上落后于國際巨頭，未來存在競爭風(fēng)險。

而在國內(nèi)，東微半導(dǎo)是少數(shù)專注工業(yè)級高壓超級結(jié) MOSFET 領(lǐng)域的半導(dǎo)體廠商，其高壓超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品在 TO247 封裝體內(nèi)同時實(shí)現(xiàn)了 650V 耐壓平臺以及最低 14mohm 導(dǎo)通電阻的規(guī)格，在性能方面已接近國際先進(jìn)水平。

2016 年 4 月，東微半導(dǎo)推出的 GreenMOS 系列超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品打破了國外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域的壟斷地位根據(jù) Omdia 統(tǒng)計，2019 年全球 MOSFET 銷售額為 84.20 億美元，東微半導(dǎo) MOSFET 產(chǎn)品銷售額為 2843 萬美元，在本土廠商中排名第七，占全球 0.34% 的市場份額

2019 年中國本土領(lǐng)先功率半導(dǎo)體廠商 MOSFET 功率器件全球銷售收入

報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的各期毛利率分別為 26.38%，14.93%，17.85% 和 26.75%相比新潔能，華微電子，華潤微，揚(yáng)杰科技，士蘭微等國內(nèi)同行業(yè)可比公司，東微半導(dǎo)的毛利率變化趨勢一致，但整體毛利率水平存在差異

東微半導(dǎo)與同行業(yè)可比公司毛利率對比

招股書稱，這主要是因?yàn)橹鳡I業(yè)務(wù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)經(jīng)營模式不同，如華微電子，華潤微和士蘭微等可比公司采用 IDM 模式，不涉及晶圓的外部采購，毛利率受外部影響較低，而華微電子，華潤微，揚(yáng)杰科技和士蘭微等可比公司產(chǎn)品種類相對較多，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，和東微半導(dǎo)專注 MOSFET 產(chǎn)品的經(jīng)營策略有所不同。

值得注意的是，雖然東微半導(dǎo)研發(fā)人員占員工總數(shù)的比例達(dá) 46%，但由于公司規(guī)模較小，其研發(fā)人員人數(shù)為 31 人，低于很多國內(nèi)同行業(yè)上市公司。

除首席技術(shù)官王鵬飛外，東微半導(dǎo)核心技術(shù)人員還包括研發(fā)總監(jiān)劉磊，資深研發(fā)工程師劉偉和資深研發(fā)工程師毛振東。

劉磊碩士畢業(yè)于安徽大學(xué)電路與系統(tǒng)學(xué)院，2007 年 9 月至 2009 年 7 月，擔(dān)任華潤上華半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)轉(zhuǎn)移部工藝整合工程師，2009 年 7 月加入東微有限。

劉偉本科畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)專業(yè)，曾在東莞奇力新電子有限公司，蘇州可勝科技有限公司任工程師職務(wù)，2009 年 8 月，劉偉加入東微有限。

毛振東則為中國科學(xué)院大學(xué)集成電路設(shè)計學(xué)院碩士學(xué)歷，曾在華晶電子集團(tuán)，華潤上華科技有限公司，蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司任職，2015 年 3 月加入東微有限。

報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)研發(fā)投入分別為 1603 萬元，1202 萬元，1599 萬元和 1650 萬元，占營收比例分別為 10.49%，6.13%，5.18% 和 5.14%截至 2021 年 6 月 30 日，東微半導(dǎo)已獲授權(quán)的專利有 53 項(xiàng)，包括境內(nèi)發(fā)明專利 37 項(xiàng)，實(shí)用新型專利 1 項(xiàng)，以及境外專利 15 項(xiàng)

東微半導(dǎo)研發(fā)投入與占比情況

04. 聯(lián)合創(chuàng)始人為實(shí)際控制人，曾獲華為哈勃投資

由于股權(quán)較為分散，東微半導(dǎo)無控股股東，其實(shí)際控制人為聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼，通過直接或間接持股及通過一致行動安排合計共同控制了 43.51% 的股份。東微半導(dǎo)于2017年12月27日取得由江蘇省科學(xué)技術(shù)廳，江蘇省財政廳，江蘇省國家稅務(wù)局和江蘇省地方稅務(wù)局聯(lián)合頒發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)證書，有效期三年。

自 2008 年創(chuàng)建以來，東微半導(dǎo)已獲得多輪融資，投資者包括元禾資本，國中創(chuàng)投，中興創(chuàng)投，中芯聚源，華為哈勃投資等行業(yè)知名投資機(jī)構(gòu)。2020年度，東微半導(dǎo)未能通過高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定，當(dāng)年度不再享受高新技術(shù)企業(yè)稅收優(yōu)惠，企業(yè)所得稅稅率由15%調(diào)整至25%。

本次 IPO 發(fā)行前，持有東微半導(dǎo) 5% 以上的非個人股東有原點(diǎn)創(chuàng)投，聚源聚芯，中新創(chuàng)投和哈勃投資 4 家，分別持有 15.18%，9.95%，7.12% 和 6.59% 的股份。

東微半導(dǎo)股本情況

05. 結(jié)語:東微半導(dǎo)上市或彌補(bǔ)經(jīng)營規(guī)模缺陷

東微半導(dǎo)聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛曾在英飛凌，奇夢達(dá)和復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)外企業(yè)和學(xué)校任職，有著較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力同時，東微半導(dǎo)的自研 MOSFET 產(chǎn)品性能較為出色但相比國內(nèi)外行業(yè)龍頭，東微半導(dǎo)經(jīng)營規(guī)模較小，在研發(fā)投入和人員數(shù)量上都存在不足

本次上市后，東微半導(dǎo)或?qū)浹a(bǔ)這一缺陷，加強(qiáng)研發(fā)投入和經(jīng)營規(guī)模上，擴(kuò)大國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的市場份額。。

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